2 最小單片機系統（存儲器）

  目前存儲器主要有：SRAM、SDRAM、FRAM、EEPROM、FLASH。由于平臺常存儲大量數據，如操作系統應用程序，可以選擇FLASH，如INTEL 28F128L18[3]。28F128L18初始訪問時間是85ns，異步頁模式為25ns，同步突發為54MHz，能在讀周期完成后自動進入功率節省模式，片選無效或復位有效時進入standby模式，電流大約50uA，異步讀電流大約18mA。為了回快應用程序的招執，配置SDRAM或者SRAM。由于SDRAM比SRAM容量大、價格便宜，選用SDRAM用于數據存儲。由于系統在運行時，大功耗元件除LCD背景光外，就是SDRAM。償和部分陣列刷新的Mobile SDRAM產品對降低功耗十分重要。如SAMSUNG K4M28163PD-RS1L，自動刷新電流85mA，4 bank激活突發模式為50mA，可使能SDRAM自動預充。這樣在每次突發讀寫后，該bank進入空閑狀態，電流可降到5.5mA。OMAP1510對K4M28163PD-RS1L進行控制時，應置K4S56163-RR75為全頁突發，以減小訪問時間，降低功耗。系統常有一些數據量不大的數據需要保存，可采用鐵電存儲器，如聲音的音量、LCD的亮度。這些參數如果保存到FLASH或者EEPROM，功耗會更大。FLASH需要整塊擦除。RAMTRON的FM24CL16在3V電源100kHz頻率讀寫時，電流為75uA,standby電流為1uA。ATMEL AT24C16在5V 100kHz讀寫電流分別是0.4mA、2mA，在2.7V時standby電流為1.6uA。AT24CL16字節寫入時間大約10ms，FM24CL16寫入時間總為線時間，不需延時，因而功耗較小。SDRAM與FLASH、SRAM采用不同的接口，在調試ARM中斷服務程序時，由于中斷服務矢量位于低端地址，調試時最好有SRAM映射到0地址處。因此SRAM和FLASH的片選信號應該是可配置的。SRAM可選用Cypress CY62157DV18，典型工作電流10mA，standby電流為2uA。

  3 其它周邊元件

  LCD顯示屏應用透射反射型，如SHARP LQ035Q7DB02。反射型LCD在強光條件下有明亮的高對比度，但在弱光條件下需要更高的亮度。SHARP把反射型LCD與背后點亮透射型LCD技術相結合，在強光條件下用作反射型LCD，在弱光條件下用作背后點亮透射型LED時功耗為350mW。Xilinx CoolRunner-II CPLD使用了快速零功耗技術。在手持多媒體終端中，圖像采集模塊和聲音采集模塊數據量大，因此除靜態功耗外，還應綜合考慮接口電壓高低，即數據傳輸引起的動態損耗。

  4 電源產生

  鋰離子電池是目前應用最為廣泛的鋰電池，可充電的鋰離子電池的額定電壓為3.6V（有的產品為3.7V）。充滿電時的終止充電電壓與電池陽極材料有關：陽極材料為石墨的4.2V；陽極材料為集炭的4.1V。不同陽極材料的內阻也不同，焦炭陽極的內阻略大。鋰離子電池的放電曲線平坦，終止放電電壓為2.5V～2.75V。在通常的固定頻率DC/DC變換器中，主要有三類功率損失：（1）負載電流相關的損失，主要包括MOSFET的導通電阻、二極管正向導通壓降、電感電阻、電容等效串聯電阻；（2）開關頻率相關的損失有MOSFET的輸出電容柵極電容及門驅動損失等；（3）其它固定損失，如MOSFET、二級管、電容泄漏電流損失。在大負載電流時，主要是電流相關功率損失，在小負載情況下，主要是頻率相關功率損失。在負載電流范圍較寬時，采用調頻方式效率更高[9]。文獻[10]討論了在斷續導通和連接導通模式時提高效率的控制方法。很DC/DC變換器都能上固定頻率或在輕負載時以跳脈沖方式工作。這兩種方式切換可由芯片外部控制（如TI的TPS60110、PINEAR的LTC3440），也可由芯片內部自動控制，如Philips的TEA1207。如果由芯片管理腳控制，則由ARM控制：ARM處理器控制各個功能模塊掉電或者空閑，分別測出功能模塊不同狀態下的工作電流，并根據負載電流值，結合電源芯片的兩種模式下的效率曲線或者其它電路參數，選擇高效率的工作方式。

[1]  [2]  [3]